Результаты полученные в нашей лаборатория были представлены на международной конференции Beam Iinjection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS), проходившая c 5 по 9 июня в Версале, Франция.
Антон Бондаренко представлял устный доклад “Optical properties of silicon modified by He ion beam”.
Олег Медведев представлял устный доклад “Cathodoluminescent signature of dislocation reactions in GaN”.
