Дефекты кристалла принято классифицировать как точечные (примеси, вакансии, то есть, отсутствующие атомы в узлах кристаллической решетки, атомы в междоузельных положениях и их комплексы), так и протяженные, в состав которых входит значительное количество атомов (дислокации, дефекты упаковки, преципитаты),
Как точечные, так и протяженные дефекты приводят к возникновению электронных состояний в запрещенной зоне полупроводников, которые проявляются в электрических, оптических и фотоэлектрических свойствах последних и изучаются в нашей лаборатории. Протяженные дефекты в полупроводниковых кристаллах, кроме того, могут взаимодействовать с точечными дефектами, образуя систему с новыми свойствами.
