Распыление сфокусированным ионным пучком является одним из наиболее популярных методов современных нанотехнологий.
В результате столкновений налетающих ускоренных ионов с атомами поверхности твердого тела последние получают достаточную энергию для того, чтобы оторваться и улететь. При этом может иметь место адсорбция этих улетевших атомов на близрасположенную поверхность материала, приводя к переосаждению материала. Кроме того, в процессе распыления происходит имплантация ионов в обрабатываемый материал, в результате чего в приповерхностной области возникают точечные дефекты.
Разрешение обработки поверхности, достижимое при использовании данного метода, составляет менее 100 нм для большинства систем со сфокусированным ионным пучком. Наилучшие результаты, менее 10 нм, могут быть получены с помощью гелиевого ионного микроскопа.
Распыление сфокусированным ионным пучком используется как для создания новых элементов наноструктур, так и для подготовки поперечных срезов различных материалов и устройств, и широко применяется в различных отраслях промышленности.