Присутствие в полупроводниках дефектов, как точечных, так и протяженных, приводит к возникновению локализованных электронных состояний, с уровнями энергии в запрещенной зоне. Для характеризации свойств таких состояний применяются различные электрофизические методы.
- Нестационарная спектроскопия глубоких уровнейМетод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (deep level transient spectroscopy (DLTS)) основан на измерении релаксации емкости области пространственного заряда после заполнения импульсом напряжения. Скорость релаксации емкости определяется скоростью эмиссии носителей заряда… Читать далее Нестационарная спектроскопия глубоких уровней