Гексагональный нитрид бора (h-BN) является одним из перспективных материалов для создания источников одиночных фотонов, играющих ключевую роль в квантовой информатике и криптографии. Такие источники могут быть получены посредством управляемого внедрения отдельных точечных дефектов в данный материал.
В спектре люминесценции гексагонального нитрида бора наблюдаются полосы в видимом диапазоне с максимумами около 2 эВ и 4.1 эВ, связанные с точечными дефектами, а также полоса с максимумом около 5.8 эВ, соответствующая зона-зонным переходам. Все перечисленные полосы содержат основной пик и несколько фононных повторений, которые хорошо разрешаются при низких температурах.
Полосы, связанные с точечными дефектами, представляются перспективными для дальнейшего использования в однофотонных источниках. Для управляемого внедрения соответствующих точечных дефектов могут применяться методы локального облучения сфокусированным электронным или ионным пучком, а также внедрение примеси из осаждаемого электронным пучком слоя.