Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (deep level transient spectroscopy (DLTS)) основан на измерении релаксации емкости области пространственного заряда после заполнения импульсом напряжения. Скорость релаксации емкости определяется скоростью эмиссии носителей заряда с глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводника, которая, в свою очередь, зависит от температуры. В качестве сигнала в методе DLTS используется свертка зависимости емкости от времени с некоторой весовой функцией