Гелиевая ионная микроскопия является новым и быстро развивающимся методом исследования. В основе данного метода, аналогично сканирующей электронной микроскопии, лежит сканирование сфокусированным пучком ионов гелия по поверхности материала и регистрация возбуждаемых вторичных электронов или обратно-рассеянных ионов. Помимо получения увеличенного изображения сфокусированный ионный пучок предоставляет возможность управляемой локальной модификации свойств материалов с высоким разрешением. В нашем коллективе накоплен уникальный для нашей страны многолетний опыт использования гелиевого ионного микроскопа, на основании которого составлены представленные ниже материалы.
