Метод исследования токов наведенных электронным пучком (electron beam induced current (EBIC)) основан на регистрации тока неравновесных носителей заряда, возбуждаемых электронным пучком СЭМ. При этом регистрируемый сигнал определяется количеством электронов и дырок, вышедших во внешнюю цепь без рекомбинации, что позволяет локализовать области повышенной рекомбинации, связанные с протяженными дефектами. Данный метод является весьма популярным не только для исследования полупроводниковых материалов, но и для анализа работоспособности устройств микроэлектроники.