23 – 27 ноября 2020 года в Санкт-Петербурге состоялась Всероссийская молодежная конференция “Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника”, на которой был представлен доклад С.В. Шапенкова “Characteristic emission from quantum dot-like intersection nodes of dislocations in GaN”