ICDS31

26-30 июля 2021 года состоялась международная конференция, посвященная дефектам в полупроводниках, “International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS31)“, на которой был представлен доклад С.В. Шапенкова “Fine core structure and spectral luminescence features of freshly introduced dislocations in Fe-doped GaN”