Объемные материалы

Классические полупроводники

К классическим полупроводникам относятся материалы с шириной запрещенной зоны менее 2.5 эВ, такие как Si, Ge, GaAs. Кремний (Si) – основа современной микроэлектроники. Наряду с примесями фосфора и бора в кремнии, которые определяют тип и величину проводимости, важную роль в его свойствах играют примеси водорода и примеси кислорода, образующие нанопреципитаты SiOx. С исследованиями свойств этих примесей можно познакомиться в работах А.С. Лошаченко и Д.В. Данилова.

Широкозонные полупроводники

Широкозонными называют материалы, обладающие шириной запрещенной зоны более 2.5 эВ (GaN, AlGaN, SiC, AlN, BN, Ga2O3), которые вызывают в последние годы все возрастающий интерес с точки зрения применений в электронных и оптоэлектронных приборах. На современном уровне технологии все указанные материалы характеризуются большой плотностью протяженных и точечных дефектов структуры, свойства которых мало изучены и также являются предметом наших исследований, подробности которых можно найти в работах О.С. Медведева и С.В. Шапенкова.