14-17 марта 2022 года состоялся очередной XXVI Международный симпозиум “Нанофизика и Наноэлектроника“, на котором Ю.В. Петров представил доклад “Ионно-лучевая модификация локальных люминесцентных свойств гексагонального нитрида бора“
Рубрика: Новости
Результаты наших исследований на обложке журнала
Рисунок по материалам статьи “Polymorphism and Faceting in Ga2O3 Layers Grown by HVPE at Various Gallium-to-Oxygen Ratios.”, опубликованной в журнале Physica Status Solidi B, помещен на обложку 2 выпуска 259 номера журнала.
Видеоинструкции к ImageJ на русском языке
Для обучающихся и начинающих специалистов по электронной микроскопии представляем сборник видео с инструкциями по использованию популярной бесплатной программы по работе с изображениями ImageJ.
OpenScience 2021
С 17 по 19 ноября в Гатчине прошел VIII Всероссийский Молодежный научный форум с международным участием OpenScience 2021, на котором О.А. Гогина представила доклад ” Влияние облучения Ga+ и He+ на катодолюминесценцию гексагонального нитрида бора”
PhysicA.SPb/2021
18-22 октября в Санкт-Петербурге состоялась Международная конференция ФизикА.СПб, на которой Ю.В. Петров представил доклад “Cathodoluminescence of carbon-related defects in hexagonal boron nitride”
ISI-2021
23-27 августа 2021 в Ярославле состоялась 25-я Международная конференция “Взаимодействие ионов с поверхностью” (International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-2021)). Конференция прошла в смешанном очно-дистанционном формате.
Наш коллектив был представлен докладом Ю.В. Петрова, посвященным влиянию ионного облучения на катодолюминесценцию гексагонального нитрида бора.
Фотографии с конференции и видеозаписи трансляции всех докладов доступны на сайте конференции.
ICDS31
26-30 июля 2021 года состоялась международная конференция, посвященная дефектам в полупроводниках, “International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS31)“, на которой был представлен доклад С.В. Шапенкова “Fine core structure and spectral luminescence features of freshly introduced dislocations in Fe-doped GaN”
Запущен онлайн-курс на Coursera
На платформе Coursera открыта регистрация слушателей онлайн-курса “Fundamentals of electron and ion microscopy“, подготовленного нашими преподавателями и Центром развития электронных образовательных ресурсов СПбГУ .
Язык курса – английский. К видеозаписям лекций добавлены субтитры на русском языке.
Курс состоит из 5 модулей, включающих следующие темы:
- Общие вопросы электронной и ионной микроскопии.
- Сканирующая электронная микроскопия.
- Просвечивающая электронная микроскопия.
- Сканирующая ионная микроскопия и сфокусированные ионные пучки.
- Аналитические методы в электронной микроскопии.
Compound Semiconductor Week – 2021
9 – 13 мая 2021 года в Стокгольме состоялся международный форум Compound Semiconductor Week, на котором наша лаборатория была представлена докладом С.В. Шапенкова “Polymorphism and faceting in Ga2O3 layers grown by HVPE at various gallium-to-oxygen ratios”
Молодежная конференция по физике полупроводников
23 – 27 ноября 2020 года в Санкт-Петербурге состоялась Всероссийская молодежная конференция “Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника”, на которой был представлен доклад С.В. Шапенкова “Characteristic emission from quantum dot-like intersection nodes of dislocations in GaN”